Чтобы управлять найстройками профиля, вашими избранными лотами, ставками и выставлять товары на торги.
Состояние : новое
Наличие : в наличии
Техническое состояние : исправное
Гарантия : гарантия от продавца
Маркировка: K80E06K3A (Toshiba
Semiconductor)
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 90 nC
Время нарастания (tr): 26 ns
Выходная емкость (Cd): 800 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0058
Ohm
Тип корпуса: TO220
Цена указана за 1 шт.
#7828
Предоплата
По договоренности/другое
Стандартный банковский перевод
Оплата курьеру
Онлайн-перевод
Наличными при встрече
По договоренности по городу: 70 грн. по стране: 70 грн.
Новая почта по городу: 70 грн. по стране: 70 грн.
Укрпочта по городу: 45 грн. по стране: 45 грн.