Чип IRF640N IRF640 TO-220AB, Транзистор полевой N-канальный, 10 штук

IRF640N это n-канальный полевой транзистор, созданный по структуре MOSFET с выводным типом монтажа. Транзистор исполнен в корпусе TO-220АВ.

Предназначен для работы в регуляторах мощности, высокочастотных импульсных источниках питания, преобразователях и т.д.
Характеристики:
количество чипов в наборе, штук: 10;

модель: IRF640N;

тип корпуса: TO-220АВ;

структура: n-канал;

максимальное напряжение сток-исток: 200 В;

максимальный ток сток-исток: 18 А;

максимальное напряжение затвор-исток: 20 В;

сопротивление канала в открытом состоянии: 0,15 Ом;

максимальная рассеиваемая мощность: 150 Вт;

максимальная температура канала 175 °C.